大家好，小體來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題。大功率開(kāi)關(guān)mos管的特點(diǎn)，常用大功率mos管工作原理介紹這個(gè)很多人還不知道,現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！
1、 MOS英文叫金屬氧化物半導(dǎo)體，也就是金屬氧化物半導(dǎo)體。具體來(lái)說(shuō)，這個(gè)名字描述的是集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即在具有一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件中加入二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS晶體管的源漏可以切換，都是P型背柵中形成的N型區(qū)。在大多數(shù)情況下，兩個(gè)區(qū)域是相同的，即使兩端互換，器件的性能也不會(huì)受到影響，這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
2、 分類(lèi)：
3、 根據(jù)溝道材料類(lèi)型和絕緣柵類(lèi)型，分為N溝道和P溝道兩種。按導(dǎo)通方式：MOS晶體管分為耗盡型和增強(qiáng)型，所以MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為N溝道耗盡型和增強(qiáng)型；p溝道耗盡型和增強(qiáng)型。
4、 MOS管的工作原理——MOS管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
5、 導(dǎo)通時(shí)只有一個(gè)極性載流子(多載流子)參與導(dǎo)通，是單極晶體管。導(dǎo)電機(jī)理和小功率MOS管一樣，但結(jié)構(gòu)上有很大區(qū)別。小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷蟛糠止β蔒OSFET采用縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)，也稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和電流能力。
6、 其主要特點(diǎn)是金屬柵和溝道之間有二氧化硅絕緣層，因此具有較高的輸入電阻。當(dāng)電子管開(kāi)啟時(shí)，在兩個(gè)高濃度N擴(kuò)散區(qū)間內(nèi)形成一個(gè)N型導(dǎo)電溝道。N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管必須向柵極施加正向偏置電壓，只有當(dāng)柵源電壓大于閾值電壓時(shí)，才能出現(xiàn)溝道導(dǎo)電的N溝道MOS晶體管。N溝道耗盡型MOS晶體管是指沒(méi)有施加?xùn)烹妷?柵源電壓為零)時(shí)，溝道導(dǎo)電的N溝道MOS晶體管。
7、 MOS管的工作原理
8、 它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，來(lái)改變這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀態(tài)，進(jìn)而達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管道時(shí)，通過(guò)工藝在絕緣層中出現(xiàn)大量的正離子，因此在界面的另一側(cè)可以感應(yīng)出更多的負(fù)電荷。這些負(fù)電荷連接高磁導(dǎo)率雜質(zhì)的N區(qū)，形成導(dǎo)電溝道，即使當(dāng)VGS=0時(shí)，也有大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道中感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬度也改變，因此漏極電流ID隨著柵極電壓的改變而改變。
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