IGBT模塊作用（什么是igbt模塊）

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1、 IGBT (Insulated Gate Transistor)是一種絕緣柵雙極晶體管，是由BJT (Bipolar Transistor)和MOS(Insulated Gate Field Effect Transistor)組成的復(fù)合型全控壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和電壓低，載流密度高，但驅(qū)動電流高。MOSFET驅(qū)動功率低，開關(guān)速度快，但開關(guān)壓降大，載流密度低。IGBT結(jié)合了上述兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，具有低驅(qū)動功率和低飽和電壓。

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