美光在下周于加利福尼亞舉行的閃存峰會(huì)之前宣布了其下一代 232 層 NAND 。232 層 NAND 包含業(yè)界最快的 NAND I/O 速度 2.4 GB/s，是世界上密度最高的 NAND。閃存三層單元 (TLC) 密度為 14.6 Gb/mm2，比競(jìng)爭(zhēng) TLC 產(chǎn)品的密度高 35% 至 100%。
美光的新型 NAND 包括最高層數(shù)、最多每平方毫米位數(shù)和最快的 I/O 速度。它建立在美光之前的 176 層 NAND 之上，而新的 232 層 NAND 非常適合各種應(yīng)用，包括消費(fèi)產(chǎn)品、移動(dòng)設(shè)備等。該設(shè)備承諾將寫(xiě)入帶寬提高 100%，讀取帶寬提高 75% 以上，并將傳輸速率提高 50% 至 2.4 GB/s(ONFI 總線(xiàn))。這種性能以小 28% 的封裝形式提供。由于 232 層 NAND 比其前身小 28%，因此非常適合輕薄筆記本電腦設(shè)計(jì)。同樣，空間受限和功耗敏感的移動(dòng)設(shè)備也可以使用新的 NAND。新的 232 層 3D NAND 已經(jīng)在選定的 Crucial 品牌 SSD 上發(fā)貨，基于該技術(shù)的其他產(chǎn)品將于今年晚些時(shí)候發(fā)貨。
美光寫(xiě)道，“這種率先上市的 232 層技術(shù)代表了美光第六代 NAND 進(jìn)入大批量生產(chǎn)的階段。突破性的高層數(shù)以及 CuA(陣列下 CMOS)技術(shù)使我們能夠以非常小的占用空間提供高達(dá)每芯片 1 TB 的巨大存儲(chǔ)容量。因此，232 層 NAND 設(shè)備的單位面積位密度比之前的 176 層設(shè)備高 45% 以上，能力提升驚人!密度的增加還可以改進(jìn)封裝形式，例如新的 11.5mm x 13.5mm 封裝，它比上一代芯片的封裝小 28%。這一切意味著現(xiàn)在可以為更多類(lèi)型的設(shè)備配備大容量、高性能的存儲(chǔ)設(shè)備。
232L NAND 包含一對(duì) 116 層的卡座。這是美光首次生產(chǎn)超過(guò) 100 層的單層板。232L NAND 具有更多的卡座數(shù)量和更高的密度，是美光首款 1Tbit TLC 芯片。這意味著美光可以通過(guò)堆疊 16 個(gè) 232L 裸片來(lái)生產(chǎn) 2TB 芯片封裝。
構(gòu)建新的 3D NAND 閃存并不像簡(jiǎn)單地添加更多層那么簡(jiǎn)單。美光寫(xiě)道，“這些設(shè)備的制造可能具有挑戰(zhàn)性，需要數(shù)百個(gè)單獨(dú)的工藝才能將原始晶圓加工成完整的管芯或芯片。” 該過(guò)程中最具挑戰(zhàn)性的部分是在保持均勻性的同時(shí)將層堆疊得更高。
“美光的 232 層 NAND 是存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺，它首次證明了在生產(chǎn)中將 3D NAND 擴(kuò)展到超過(guò) 200 層的能力，”美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說(shuō)。“這項(xiàng)突破性技術(shù)需要廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高縱橫比結(jié)構(gòu)的先進(jìn)工藝能力、新型材料的進(jìn)步和基于我們市場(chǎng)領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)的領(lǐng)先設(shè)計(jì)增強(qiáng)。”