英特爾近日宣布了一項(xiàng)重大計(jì)劃，將在韓國(guó)首爾設(shè)立一個(gè)科研實(shí)驗(yàn)室，以推進(jìn)適用于數(shù)據(jù)中心的DDR5 DRAM芯片研發(fā)工作。這個(gè)實(shí)驗(yàn)室預(yù)計(jì)將在今年年底前竣工開業(yè)，其主要任務(wù)是為數(shù)據(jù)中心開發(fā)DDR5 DRAM內(nèi)存技術(shù)。
此次計(jì)劃是英特爾在其Vision 2023活動(dòng)中的重要舉措之一。除了韓國(guó)的科研實(shí)驗(yàn)室，英特爾還計(jì)劃在美國(guó)、中國(guó)、印度和墨西哥等地設(shè)立六個(gè)科研機(jī)構(gòu)，主要負(fù)責(zé)研究和認(rèn)證服務(wù)器半導(dǎo)體芯片。這一系列的舉措表明英特爾對(duì)于數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的發(fā)展充滿信心，并致力于推動(dòng)下一代內(nèi)存產(chǎn)品的研發(fā)和創(chuàng)新。
同時(shí)，英特爾還加強(qiáng)了與三星和SK海力士的合作。他們將共同測(cè)試和評(píng)估下一代內(nèi)存產(chǎn)品，包括DDR5和Compute Express Link等。這一合作將為英特爾提供更多的技術(shù)支持和資源，并有助于加快新一代內(nèi)存產(chǎn)品的商業(yè)化進(jìn)程。
SK海力士也在最近宣布了令人振奮的消息。他們的第五代10納米工藝1bnm已經(jīng)完成驗(yàn)證，可以滿足下一代DDR5和HBM3E的需求。此外，三星還開始量產(chǎn)采用12納米工藝節(jié)點(diǎn)的16B DDR5 DRAM。這些技術(shù)的突破將為數(shù)據(jù)中心的發(fā)展提供更多的選擇和優(yōu)化方案。
總之，英特爾計(jì)劃在韓國(guó)首爾設(shè)立科研實(shí)驗(yàn)室，并加強(qiáng)與三星、SK海力士的合作，旨在推進(jìn)數(shù)據(jù)中心的DDR5 DRAM芯片研發(fā)工作。這一系列舉措將為數(shù)據(jù)中心的性能提升和創(chuàng)新打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，為未來的科技發(fā)展帶來更多可能性。我們期待著這些努力所帶來的成果，相信數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀訝N爛的未來。