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飽和光電流與什么因素有關(guān)(飽和光電流的決定因素)

導(dǎo)讀 大家好,小皮來(lái)為大家解答以上問(wèn)題。飽和光電流與什么因素有關(guān),飽和光電流的決定因素這個(gè)很多人還不清楚,現(xiàn)在一起跟著小編來(lái)瞧瞧吧! 1、...

大家好,小皮來(lái)為大家解答以上問(wèn)題。飽和光電流與什么因素有關(guān),飽和光電流的決定因素這個(gè)很多人還不清楚,現(xiàn)在一起跟著小編來(lái)瞧瞧吧!

1、 飽和電流只與入射光的強(qiáng)度有關(guān),與施加的電壓無(wú)關(guān)。我們從不強(qiáng)調(diào)飽和電流和入射光頻率的關(guān)系。

2、 我們講截止電壓和截止頻率只講頻率。入射光越強(qiáng),單位時(shí)間發(fā)射的光電子越多。

3、 當(dāng)入射光的頻率不變時(shí),飽和光電流的值與入射光的強(qiáng)度成正比。

4、 原因很簡(jiǎn)單。入射光的強(qiáng)度與單位時(shí)間內(nèi)的光子數(shù)成正比。

5、 光子數(shù)的變化導(dǎo)致單位時(shí)間內(nèi)吸收光子的電子數(shù)發(fā)生變化,因此飛出的光電子數(shù)發(fā)生變化,從而導(dǎo)致電流的變化。

6、 當(dāng)入射光強(qiáng)一定時(shí),飽和光電流隨著入射光頻率的增加而增加。

7、 這很難理解。

8、 可以這么想:光強(qiáng)不變,光子被電子單位時(shí)間吸收,吸收后形成的光電子并不都飛出金屬表面。

9、 金屬表面附近的電子被金屬內(nèi)部的原子核束縛住了,所以容易飛出來(lái),但不一定在內(nèi)部。所以電子可能只會(huì)飛出金屬形成光電流。

10、 如果在入射光強(qiáng)度不變的情況下,增加入射光的頻率,雖然仍有光子被電子吸收形成光電子,但光電子的能量比較大,所以脫離金屬中原子核的能力比較強(qiáng)。

11、 這樣電子就可能飛出金屬形成光電流。在這種情況下,很明顯飽和光電流會(huì)增加。

關(guān)于飽和光電流與什么因素有關(guān),飽和光電流的決定因素的介紹到此結(jié)束,希望對(duì)大家有所幫助。

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