在今天的財(cái)報(bào)會(huì)議上，Intel也公布了旗下的芯片工藝最新進(jìn)展，重申了他們之前的目標(biāo)，那就是4年內(nèi)搞定5代CPU工藝，也就是Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A及Intel 18A，其中Intel 7就是12代酷睿及現(xiàn)在13代酷睿用的，重點(diǎn)是剩下的4代工藝。
Intel 4是Intel首代EUV工藝，這一代會(huì)用上EUV光刻機(jī)，Intel 4工藝HP高性能庫(kù)的密度可達(dá)1.6億晶體管/mm2，是目前Intel 7工藝的2倍，高于臺(tái)積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺(tái)積電3nm的2.08億晶體管/mm2。
與Intel 7工藝相比，在同樣的功耗下“4nm EUV”工藝頻率提升21.5%，功耗降低了40%。
Intel 4工藝會(huì)在自家的14代酷睿Meteor Lake上首發(fā)，CEO基辛格今天確認(rèn)說(shuō)該工藝會(huì)在今年底開(kāi)始14代酷睿的生產(chǎn)，處理器及OEM客戶(hù)的產(chǎn)品會(huì)在2023年上市。
Intel 4之后是Intel 3工藝，是前者的改良版，也會(huì)繼續(xù)使用EUV光刻機(jī)，而且Intel 3工藝還會(huì)對(duì)外提供代工服務(wù)。
再往后就是20A及18A了，相當(dāng)于友商的2nm及1.8nm，因此這兩代工藝是Intel的大殺器，首發(fā)兩大突破性技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia。
其中RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來(lái)的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。
該技術(shù)加快了晶體管開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)消除晶圓正面供電布線(xiàn)需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸。
Intel的20A工藝預(yù)計(jì)會(huì)有自家的15代酷睿Arrow Lake首發(fā)，2024年上半年量產(chǎn)。
18A則是在20A基礎(chǔ)上繼續(xù)改良，不同的是這代工藝也會(huì)對(duì)外提供代工，因此比20A更受重視，進(jìn)展也很快，之前Intel也確認(rèn)18A工藝量產(chǎn)時(shí)間從2025年上半年提前半年到2024年下半年。
對(duì)于18A工藝，Intel CEO基辛格表示已經(jīng)有潛在的客戶(hù)在工廠(chǎng)中做了流片測(cè)試，之前9月底的創(chuàng)新大會(huì)上Intel提到18A的PDK 0.3版已經(jīng)交付客戶(hù)，現(xiàn)在來(lái)看進(jìn)展也是很順利的。
文章來(lái)源：快科技