在EUV光刻工藝上，Intel此前承認他們過去翻錯了，讓臺積電、三星搶先了，畢竟Intel是最早研發(fā)EUV工藝的半導體公司之一，現在Intel可以追上來了，今年底就首次使用EUV的Intel 4工藝就會規(guī)模量產。
Intel 4就是之前的Intel 7nm工藝，也是Intel首次使用EUV光刻機，高性能庫的晶體管密度可達1.6億晶體管/mm2，是目前Intel 7的2倍，高于臺積電的5nm工藝的1.3億晶體管/mm2，接近臺積電3nm的2.08億晶體管/mm2。
Intel官方對Intel 4工藝的進度一直很樂觀，之前多次說過今年底投產，不過到底是什么級別的生產？了解半導體玩家知道，風險試產、小規(guī)模生產及大規(guī)模量產是完全不同的。
最新消息顯示，Intel 4工藝現在已經到了大規(guī)模量產（high volume）階段，意味著Intel在商業(yè)生產上沒問題了。
首發(fā)Intel 4的是14代酷睿Meteor Lake處理器，Q4季度會有正式流片，產品則會在明年上市。
根據之前的消息，14代酷睿不僅會升級Intel 4工藝及新的架構，還會首次使用多芯片整合封裝，CPU、核顯、輸入輸出等各自獨立，制造工藝也不盡相同。
Meteor Lake的CPU Tile模塊是Intel 4工藝生產的，IOE Tile以及SoC Tile模塊則是臺積電6nm工藝生產的，Graphics Tile顯卡模塊則是臺積電5nm工藝生產，還有個Base Tile則是Intel自家的22nm工藝生產。
在14代酷睿上，Intel做到了5個芯片合一，融合了4種不同的邏輯工藝。
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文章來源：快科技