導讀 《科創(chuàng)板日報》1日訊,據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息,年產(chǎn)12億顆高性能MEMS射頻芯片、1000萬片Mini MicroLED藍寶石襯底片生產(chǎn)建設(shè)項目簽約落
《科創(chuàng)板日報》1日訊,據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息,年產(chǎn)12億顆高性能MEMS射頻芯片、1000萬片Mini/MicroLED藍寶石襯底片生產(chǎn)建設(shè)項目簽約落戶湖州莫干山高新區(qū)。據(jù)悉,該項目計劃總投資21億元,主要建設(shè)生產(chǎn)12億顆高性能MEMS壓力傳感器/射頻芯片及1000萬片大英寸Mini/MicroLED氮化鎵用藍寶石襯底片設(shè)備的制造基地;建設(shè)成立基LED芯片(圖形化)襯底及第三代半導體材料的研發(fā)實驗室。
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來源:淘股吧