導讀 10月8日電，日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發(fā)出了用于“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發(fā)出了去除成膜過程中產生
10月8日電，日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發(fā)出了用于“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發(fā)出了去除成膜過程中產生的雜質的方法，把晶體管材料的導電性提高到原來的約4倍。計劃應用于產業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。
以上就是【新技術讓6G半導體導電性增至4倍】相關內容。
來源：淘股吧